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萨科微低压MOS管SL2306

参数规格：
▪ 类型：N沟道；
▪ 漏源电压(Vdss)：20V；
▪ 连续漏极电流(Id)：4A；
▪ 功率(Pd)：1200mW；
▪ 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：40mΩ@4.5V,4A；
▪ 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250μA；

特性特点：
▪ 低压MOS管在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω）；
▪ 效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类；
▪ 按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种；